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          當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心表面分析離子源系統(tǒng)GCIB 40GCIB-40 離子源系統(tǒng)

          GCIB-40 離子源系統(tǒng)
          產(chǎn)品簡(jiǎn)介

          GCIB-40 離子源系統(tǒng)是一種40 kV氣體團(tuán)簇離子束,產(chǎn)生團(tuán)簇離子聚焦束,用于需要對(duì)分子離子敏感的分析應(yīng)用。GCIB在較大程度地減少碎片和從表面去除完整分子方面具有單獨(dú)的的能力。在40千伏電壓下工作的GCIB 40提供了優(yōu)異的電離產(chǎn)率,進(jìn)一步增強(qiáng)了分子信號(hào)。

          產(chǎn)品型號(hào):GCIB 40
          更新時(shí)間:2024-09-12
          廠商性質(zhì):代理商
          訪問(wèn)量:1070
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          簡(jiǎn)介

          GCIB-40 離子源系統(tǒng)是一種40 kV氣體團(tuán)簇離子束,產(chǎn)生團(tuán)簇離子聚焦束,用于需要對(duì)分子離子敏感的分析應(yīng)用。 

          GCIB 40在較大程度地減少碎片和從表面去除完整分子方面具有優(yōu)異的處理能力。在40千伏電壓下工作的GCIB 40提供了優(yōu)異的電離產(chǎn)率,進(jìn)一步增強(qiáng)了分子信號(hào)。 

          GCIB-40 離子源系統(tǒng)具有可選擇的簇大小,從單體到10000多個(gè),斑點(diǎn)大小小于3µm,是分析完整分子離子的強(qiáng)大工具,具 有高空間分辨率。

          可在J105 SIM上使用,或作為選定第三方儀器的升級(jí)。請(qǐng)與我們聯(lián)系以獲取更多信息。

                 

           

          主要參數(shù)



          主要應(yīng)用                分析            
          光斑尺寸                3 µm                
          掃描范圍                0.9 x 0.9 mm                
          能耗范圍                10 – 40 kV                
          電流范圍                200 nA                
          法蘭至機(jī)頭長(zhǎng)度                168 ± 5 mm               
          推薦工作距離                25 mm                
          電源裝置                6U x 19’’ rack mountable unit    
          電源要求                110-240VAC 13A 50/60Hz                
          軟件要求                        PC running Windows 10 or later                   
          集成法蘭規(guī)格                NW 63 CF                














          特點(diǎn):  

          ◇  40 kV氣體團(tuán)簇離子束,光斑尺寸為3µm;

          ◇  實(shí)時(shí)集群測(cè)量和調(diào)整;

          ◇  從單體到>10000的可選簇

          ◇  使用一系列氣體運(yùn)行,包括Ar、CO2、Ar/CO2混合氣體;

          ◇  水源團(tuán)簇升級(jí)可用;

               

          應(yīng)用技術(shù): 

          由于離子束和分子信號(hào)的丟失,有機(jī)樣品的SIMS分析通 常會(huì)導(dǎo)致碎片。使用GCIB,可以減少損傷,以便對(duì)材料進(jìn)行分析和深度剖面。

          然而,在近束能量(<40 kV)下,GCIB的二次離子產(chǎn)額可能較低。在更高的能量下操作會(huì)產(chǎn)生更高的二次離子產(chǎn)率,同時(shí)仍然保持低損傷特性。

          下圖顯示了在分析有機(jī)樣品時(shí),離子產(chǎn)額如何與束流能量成比例。盡管一次離子劑量保持不變,但來(lái)自Irganox  1010薄膜的二次離子信號(hào)從20kV到40kV一次束能量增加了五倍以上。 同時(shí),在所有的光束能量中,碎片幾乎保持不變。

                


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